(Aeronoticias).- Basarse en el proceso de fabricación de 20 nanómetros, en vez de los 30 nanómetros de las DRAM convencionales.
Además, con este desarrollo se subirá de los módulos de 8 GB a los de 16 GB y 32 GB, con la intención de incorporarlos en “servidores empresariales y centros de datos de próxima generación” más eficientes a nivel económico y de consumo.
La firma surcoreana también se encuentra inmersa en la producción de su memoria DRAM LPDDR3 de bajo consumo para dispositivos móviles con tecnología de 20 nanómetros y de la primera memoria Flash NAND tridimensional con estructura vertical de la industria.
Con información de Todo tecnología.
